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現(xiàn)場直擊 | 聚焦日揚(yáng)科技無錫半導(dǎo)體CSEAC 2025展會現(xiàn)場
現(xiàn)場直擊 | 聚焦日揚(yáng)科技無錫半導(dǎo)體CSEAC 2025展會現(xiàn)場

現(xiàn)場直擊|聚焦日揚(yáng)科技無錫半導(dǎo)體CSEAC2025展會現(xiàn)場無錫半導(dǎo)體設(shè)備年會9月4日,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展(CSEAC2025)在無錫太湖國際博覽中心正式開幕?,F(xiàn)場聚集了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈上千家廠商,日揚(yáng)科技作為半導(dǎo)體核心零部件與材料廠商,攜帶真空閥門、腔體、零配件、真空涂層和尾氣處理設(shè)備亮相B1-229展位現(xiàn)場,展臺顧客絡(luò)繹不絕,積極探討真空解決方案!展會亮點(diǎn)產(chǎn)品聚焦在APC控壓閥門...

2025-09-05
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  • 詳細(xì)闡述分子泵是否“無油”

    這是一個(gè)老問題了。從工作機(jī)理來說,分子泵對油蒸汽的壓縮比很高,即使前級有油蒸汽存在,高真空室通常無法檢測到油蒸汽,所以,往往被稱為“無油”泵。其實(shí),上述說法只有在分子泵操作步驟合理時(shí)才能成立。分子泵處于停止?fàn)顟B(tài),泵的軸承(磁懸浮軸承除外)和前級泵(干式前級泵除外)的潤滑油蒸汽可能擴(kuò)散到高真空室。1)停泵狀態(tài):氣體的擴(kuò)散速度與壓強(qiáng)平方成反比。停泵狀態(tài),只要壓強(qiáng)>50Pa,對大部分用戶來說,油蒸汽的擴(kuò)散可以忽略,可以認(rèn)為“無油”。2)制動過程:分子泵制動過程中,真空室壓強(qiáng)逐漸升高...

    20166-28
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  • 真空的定義及真空度單位

    1、真空的定義真空系統(tǒng)指低于該地區(qū)大氣壓的稀簿氣體狀態(tài)2、真空度處于真空狀態(tài)下的氣體稀簿程度,通常用“真空度高”和“真空度低”來表示。真空度高表示真空度“好”的意思,真空度低表示真空度“差”的意思。3、真空度單位通常用托(Torr)為單位,近年上取用帕(Pa)作為單位。1托=1/760大氣壓=1毫米汞柱

    20166-21
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  • 真空系統(tǒng)前級泵抽速選擇

    前級泵抽速選擇排氣口壓力低于一個(gè)大氣壓的傳輸泵如擴(kuò)散泵、油增壓泵、羅茨泵、渦輪分子泵等,它們工作時(shí)需要前級泵來維持其前級壓力低于臨界值,選用的前級泵必須能將主泵的zui大氣體量排走,根據(jù)管路中,各截面流量恒等的原則有:PnSg≥PgS或Sg≥Pgs/PnSg-前級泵的有效抽速(l/s)Pn-主泵臨界前級壓強(qiáng)(zui大排氣壓強(qiáng))(l/s)Pg-真空室zui高工作壓強(qiáng)(托)S-主泵工作時(shí)在Pg時(shí)的有效抽速。(l/s)

    20166-14
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  • 真空系統(tǒng)擴(kuò)散泵抽速計(jì)算公式

    擴(kuò)散泵抽速計(jì)算公式:S=Q/P=(K·n)/(P·t)(升/秒)式中:S-被試泵的抽氣速率(l/s)n-滴管內(nèi)油柱上升格數(shù)(格)t-油柱上升n格所需要的時(shí)間(秒)P-在泵口附近測得的壓強(qiáng)(托)K-滴管系數(shù)(托·升/秒)K=V0·(L/n)·(Υ0/Υm)+Pa△Vt其中V0-滴管和真空膠管的原始容積(升)L-滴管刻度部分的長度(mm)n-滴管刻度部分的格數(shù)(格)Υ0-油的比重(克/厘米3)Υm-汞的比重(克/厘米3)Pa-當(dāng)?shù)卮髿鈮簭?qiáng)(托)△Vt-滴管的刻度上的一格的對應(yīng)的容...

    20166-7
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  • INFICON電容薄膜規(guī)的十三大特點(diǎn)

    INFICON電容薄膜規(guī)的特點(diǎn):1、以可靠的超純陶瓷傳感器室為基礎(chǔ)構(gòu)成2、在嚴(yán)酷和腐蝕性環(huán)境中,穩(wěn)定與可靠的高精度壓強(qiáng)測量3、快速的預(yù)熱和恢復(fù)時(shí)間,提高生產(chǎn)率4、的長期穩(wěn)定性,再現(xiàn)性和重復(fù)性5、由于電子學(xué)直接安裝在傳感器上,改進(jìn)了溫度補(bǔ)償和EMC兼容性6、對環(huán)境條件變化的敏感度的降低使得測量更穩(wěn)定7、快速預(yù)熱在開機(jī)的一分鐘內(nèi)達(dá)到快速穩(wěn)定和進(jìn)入準(zhǔn)備使用狀態(tài)8、一鍵按鈕:調(diào)零功能和設(shè)點(diǎn)調(diào)整9、抗腐蝕超純陶瓷傳感器10、能經(jīng)受數(shù)百萬次壓強(qiáng)循環(huán)周期,包括大氣壓沖擊,無任何降低性能的跡...

    20165-26
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  • 真空系統(tǒng)常用名稱

    真空系統(tǒng)常用名稱(1)主泵:在真空系統(tǒng)中,用于獲得所需要真空度來滿足特定工藝要求的真空泵,如真空鍍膜機(jī)中的油擴(kuò)散泵就是主泵。(2)前級泵:用于維持某一真空泵前級壓強(qiáng)低于其臨界前級壓強(qiáng)的真空泵。如羅茨泵前配置的旋片或滑閥泵就是前級泵。(3)粗抽泵:從大氣壓下開始抽氣,并將系統(tǒng)壓力抽到另一真空泵開始工作的真空泵。如真空鍍膜機(jī)中的滑閥泵,就是粗油泵。(4)維持泵:在真空系統(tǒng)中,氣量很小時(shí),不能有效地利用前級泵。為此配置一種容量較小的輔助泵來維持主泵工作,此泵叫維持泵。如擴(kuò)散泵出口處...

    20165-19
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  • 加熱型薄膜規(guī)的七大優(yōu)點(diǎn)

    加熱型薄膜規(guī)壓力使膜片變形,變形量與壓力大小成比例關(guān)系,通過測量不同壓力下的陶瓷膜片的變形量測量真空度1、零飄極小0.1%FS/年(干凈真空環(huán)境)2、更高的精度3、環(huán)境溫度變換/環(huán)境壓力變化/環(huán)境氣流變化對精度無影響4、比工藝更快的預(yù)熱啟動時(shí)間’5、快速恢復(fù)時(shí)間大氣壓6、任意安裝角度7、抗污染,可有效抵抗工藝氣體或工藝產(chǎn)生氣體的腐蝕影響

    20165-12
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  • 電容薄膜規(guī)的應(yīng)情況介紹

    電容薄膜規(guī)要求高的應(yīng)用條件下,而快速的壓強(qiáng)測量1、用于刻蝕,CVD,PVD,ALD半導(dǎo)體設(shè)備制造,如太陽能光伏行業(yè)的PECVD用的很多,刻蝕上一般用陶瓷型的CDG025D-X3比較多,抗污染性能比較好。一般國內(nèi)用的PECVD還有多晶爐上用的MKS的電容薄膜規(guī)622A/626A/627D和INFICON的CDG025D比較多,如德國Ruth&Rau公司的PECVD設(shè)備標(biāo)配產(chǎn)品為MKS的626B13TDE和627D01TDC1B,質(zhì)量流量計(jì)用的是1179BX23CR14VSPC1...

    20165-5
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  • INFICON皮拉尼真空計(jì)應(yīng)用行業(yè)

    INFICON皮拉尼真空計(jì)應(yīng)用行業(yè)1.各種高真空泵的前級壓力測量,如光伏,鍍膜,等離子行業(yè)2.各種中低真空測量,如照明,冶金3.真空連鎖控制,高真空計(jì)的點(diǎn)火開關(guān)控制,如PEG1004.PSG050可*替代TR211,PSG051可*替代TR2165.PCG400PCG410(現(xiàn)在已升級為PCG550,PCG400/PCG410已經(jīng)停產(chǎn))與PSG500基本相同,但彌補(bǔ)了皮拉尼規(guī)大氣測量段精度不足的弱點(diǎn),而且不受氣體類型的影響,在真空爐,單晶爐,多晶爐,藍(lán)寶石爐上廣泛應(yīng)用6.PS...

    20164-26
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  • INFICON皮拉尼真空計(jì)的選型

    皮拉尼真空計(jì)具體型號lPSG050/051lPSG100-SPSG101-SlPSG500/500-SPSG502l皮拉尼電容膜片復(fù)合真空計(jì)PCG400PCG410PCG5501.有皮拉尼規(guī)與特制的陶瓷薄膜規(guī)合成在一起2.兩種原理的規(guī)管全過程都工作3.100mbar—1000mbar使用薄膜規(guī)信號4.1mbar–100mbar兩規(guī)信號同時(shí)采用5.5x10-4mbar–1mbar采用皮拉尼信號6.輸出的真空度信號(電壓)連續(xù),無跳躍

    20164-20
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  • INFICON石英監(jiān)控器晶體的介紹

    INFICON石英監(jiān)控器晶體用于真空應(yīng)用的石英監(jiān)控器晶體石英晶體是QCM系統(tǒng)中的速率和厚度傳感元件。這些晶體用于所有標(biāo)準(zhǔn)INFICON監(jiān)控器或控制器以及INFICON(或其他制造商的)單、雙或多晶體傳感器的真空應(yīng)用。INFICON推出各種晶體和包裝,可隨時(shí)為您提供所需的晶體。標(biāo)準(zhǔn)AT切割的1in.(25.4mm)直徑晶體主要用于INFICONRQCM(石英晶體微天平研究系統(tǒng))和PLO-10i系統(tǒng)的研究應(yīng)用。這些研究晶體設(shè)計(jì)用在INFICON牢固且使用方便的晶體支架上,對沉積薄...

    20164-14
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  • INFICON電容薄膜規(guī)*替代MKS電容薄膜規(guī)

    INFICON電容薄膜規(guī)CDG025D/045D/100D可以*替代美國MKS電容薄膜規(guī)622A/626A/627D/628D,例如:622A11TDE,626A11TDE,626B13TDE,626B01TDE,627D01TDC1B

    20164-13
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